HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED · инженерный поиск компонентов
STMicroelectronics

STW65N65DM2AG

Электронный компонент STW65N65DM2AG производителя STMicroelectronics. Категория: Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы. Корпус или исполнение: TO-247-3.

Количество на складе

Точное количество уточняйте по запросу

Коммерческий статусНаличие уточняется
ЦенаЦена по запросу
Функциональная категорияОдиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Корпус / исполнениеTO-247-3
Статус данных

Что известно до запроса

Идентификация
MPN, производитель и ссылка на первоисточник зафиксированы.
Техническая основа
Параметры перенесены из каталога-источника и требуют сверки с актуальной ревизией документации.
Коммерческие условия
Наличие, цена, срок, партия и происхождение уточняются отдельно.
Технические параметры
ПроизводительSTMicroelectronics
MPNSTW65N65DM2AG
КатегорияОдиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Корпус / исполнениеTO-247-3
Ток - Continuous Сток (Id) @ 25°C60A (Tc)
Сток до Источник Напряжение (Vdss)650 V
Drive Напряжение (макс. Rds On, мин. Rds On)10V
FET ТипN-Channel
Затвор Charge (Qg) (макс.) @ Vgs120 nC @ 10 V
Вход Ёмкость (Ciss) (макс.) @ Vds5500 pF @ 100 V
Тип монтажаМонтаж в отверстия
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
КорпусTO-247-3
Мощность Dissipation (макс.)446W (Tc)
Статус продуктаАктивный
Rds On (макс.) @ Id, Vgs50mOhm @ 30A, 10V
Корпус по обозначению производителяTO-247-3
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)±25V
Vgs(th) (макс.) @ Id5V @ 250µA
Области примененияУточняются по документации
Документы и источникОснование карточки
Тип
PDF производителя
Охват
Идентификация MPN и все заполненные параметры каталога-источника
Не подтверждает
Наличие, цену, срок и происхождение партии

Перед коммерческим предложением источник и ревизию документации необходимо проверить повторно.

Если рассматривается замена

Укажите допустимые отклонения по корпусу, распиновке, электрическим параметрам, температуре и программной совместимости. Связанные ниже модели не считаются автоматическими аналогами.