Фотография изделия
Электронный компонент PSMN165-200K518 производителя NXP. Категория: Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы. Корпус или исполнение: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width).
Точное количество уточняйте по запросу
| Производитель | NXP |
|---|---|
| MPN | PSMN165-200K518 |
| Категория | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Корпус / исполнение | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ток - Continuous Сток (Id) @ 25°C | 2.9A (Tc) |
| Сток до Источник Напряжение (Vdss) | 200 V |
| Drive Напряжение (макс. Rds On, мин. Rds On) | 10V |
| FET Тип | N-Channel |
| Затвор Charge (Qg) (макс.) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Вход Ёмкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1330 pF @ 25 V |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Мощность Dissipation (макс.) | 3.5W (Tc) |
| Статус продукта | Активный |
| Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 2.5A, 10V |
| Корпус по обозначению производителя | 8-SO |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA |
| Области применения | Уточняются по документации |
Перед коммерческим предложением источник и ревизию документации необходимо проверить повторно.
Укажите допустимые отклонения по корпусу, распиновке, электрическим параметрам, температуре и программной совместимости. Связанные ниже модели не считаются автоматическими аналогами.