Фотография изделия
Электронный компонент PQMD12Z производителя NXP. Категория: Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением. Корпус или исполнение: 6-XFDFN Exposed Pad.
Точное количество уточняйте по запросу
| Производитель | NXP |
|---|---|
| MPN | PQMD12Z |
| Категория | Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением |
| Корпус / исполнение | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Ток - Коллектор (Ic) (макс.) | 100mA |
| Ток - Коллектор Cutoff (макс.) | 100nA (ICBO) |
| DC Ток Коэффициент усиления (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Частота - Transition | 230MHz, 180MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Корпус | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Мощность - макс. | 350mW |
| Статус продукта | Активный |
| Базовый резистор (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Эмиттер Base (R2) | 47kOhms |
| Корпус по обозначению производителя | DFN1010B-6 |
| Transistor Тип | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (макс.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Напряжение - Коллектор Эмиттер Breakdown (макс.) | 50V |
| Области применения | Уточняются по документации |
Перед коммерческим предложением источник и ревизию документации необходимо проверить повторно.
Укажите допустимые отклонения по корпусу, распиновке, электрическим параметрам, температуре и программной совместимости. Связанные ниже модели не считаются автоматическими аналогами.