Фотография изделия
Электронный компонент PMXB350UPEZ производителя NXP. Категория: Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы. Корпус или исполнение: 3-XDFN Exposed Pad.
Точное количество уточняйте по запросу
| Производитель | NXP |
|---|---|
| MPN | PMXB350UPEZ |
| Категория | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Корпус / исполнение | 3-XDFN Exposed Pad |
| Ток - Continuous Сток (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Сток до Источник Напряжение (Vdss) | 20 V |
| Drive Напряжение (макс. Rds On, мин. Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Тип | P-Channel |
| Затвор Charge (Qg) (макс.) @ Vgs | 2.3 nC @ 4.5 V |
| Вход Ёмкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 116 pF @ 10 V |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Корпус | 3-XDFN Exposed Pad |
| Мощность Dissipation (макс.) | 360mW (Ta), 5.68W (Tc) |
| Статус продукта | Активный |
| Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 447mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Корпус по обозначению производителя | DFN1010D-3 |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (макс.) | ±8V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Области применения | Уточняются по документации |
Перед коммерческим предложением источник и ревизию документации необходимо проверить повторно.
Укажите допустимые отклонения по корпусу, распиновке, электрическим параметрам, температуре и программной совместимости. Связанные ниже модели не считаются автоматическими аналогами.