Фотография изделия
Электронный компонент PMDPB70EN,115 производителя NXP. Категория: Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов. Корпус или исполнение: 6-UFDFN Exposed Pad.
Точное количество уточняйте по запросу
| Производитель | NXP |
|---|---|
| MPN | PMDPB70EN,115 |
| Категория | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Корпус / исполнение | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Ток - Continuous Сток (Id) @ 25°C | 3.5A |
| Сток до Источник Напряжение (Vdss) | 30V |
| Особенности полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Затвор Charge (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
| Вход Ёмкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 130pF @ 15V |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Корпус | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Мощность - макс. | 510mW |
| Статус продукта | Снят с производства |
| Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 3.5A, 10V |
| Корпус по обозначению производителя | 6-HUSON (2x2) |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Области применения | Уточняются по документации |
Перед коммерческим предложением источник и ревизию документации необходимо проверить повторно.
Укажите допустимые отклонения по корпусу, распиновке, электрическим параметрам, температуре и программной совместимости. Связанные ниже модели не считаются автоматическими аналогами.