Фотография изделия
Электронный компонент PMBT3906VS115 производителя NXP. Категория: Биполярные транзисторные матрицы. Корпус или исполнение: SOT-563, SOT-666.
Точное количество уточняйте по запросу
| Производитель | NXP |
|---|---|
| MPN | PMBT3906VS115 |
| Категория | Биполярные транзисторные матрицы |
| Корпус / исполнение | SOT-563, SOT-666 |
| Ток - Коллектор (Ic) (макс.) | 200mA |
| Ток - Коллектор Cutoff (макс.) | 50nA (ICBO) |
| DC Ток Коэффициент усиления (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Частота - Transition | 250MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Корпус | SOT-563, SOT-666 |
| Мощность - макс. | 360mW |
| Статус продукта | Активный |
| Корпус по обозначению производителя | SOT-666 |
| Transistor Тип | 2 PNP (Dual) |
| Vce Saturation (макс.) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Напряжение - Коллектор Эмиттер Breakdown (макс.) | 40V |
| Области применения | Уточняются по документации |
Перед коммерческим предложением источник и ревизию документации необходимо проверить повторно.
Укажите допустимые отклонения по корпусу, распиновке, электрическим параметрам, температуре и программной совместимости. Связанные ниже модели не считаются автоматическими аналогами.