Фотография изделия
Электронный компонент PHN210,118 производителя NXP. Категория: Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов. Корпус или исполнение: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width).
Точное количество уточняйте по запросу
| Производитель | NXP |
|---|---|
| MPN | PHN210,118 |
| Категория | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Корпус / исполнение | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Сток до Источник Напряжение (Vdss) | 30V |
| Особенности полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Затвор Charge (Qg) (макс.) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Вход Ёмкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 250pF @ 20V |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Мощность - макс. | 2W |
| Статус продукта | Снят с производства |
| Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| Корпус по обозначению производителя | 8-SO |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Области применения | Уточняются по документации |
Перед коммерческим предложением источник и ревизию документации необходимо проверить повторно.
Укажите допустимые отклонения по корпусу, распиновке, электрическим параметрам, температуре и программной совместимости. Связанные ниже модели не считаются автоматическими аналогами.