Фотография изделия
Электронный компонент PDTB123EK,115 производителя NXP. Категория: Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением. Корпус или исполнение: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.
Точное количество уточняйте по запросу
| Производитель | NXP |
|---|---|
| MPN | PDTB123EK,115 |
| Категория | Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением |
| Корпус / исполнение | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Ток - Коллектор (Ic) (макс.) | 500 mA |
| Ток - Коллектор Cutoff (макс.) | 500nA |
| DC Ток Коэффициент усиления (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Мощность - макс. | 250 mW |
| Статус продукта | Снят с производства |
| Базовый резистор (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Эмиттер Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Корпус по обозначению производителя | SMT3; MPAK |
| Transistor Тип | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Напряжение - Коллектор Эмиттер Breakdown (макс.) | 50 V |
| Области применения | Уточняются по документации |
Перед коммерческим предложением источник и ревизию документации необходимо проверить повторно.
Укажите допустимые отклонения по корпусу, распиновке, электрическим параметрам, температуре и программной совместимости. Связанные ниже модели не считаются автоматическими аналогами.