Фотография изделия
Электронный компонент PBSS5160PAP,115 производителя NXP. Категория: Биполярные транзисторные матрицы. Корпус или исполнение: 6-UFDFN Exposed Pad.
Точное количество уточняйте по запросу
| Производитель | NXP |
|---|---|
| MPN | PBSS5160PAP,115 |
| Категория | Биполярные транзисторные матрицы |
| Корпус / исполнение | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Ток - Коллектор (Ic) (макс.) | 1A |
| Ток - Коллектор Cutoff (макс.) | 100nA (ICBO) |
| DC Ток Коэффициент усиления (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
| Частота - Transition | 125MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Корпус | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Мощность - макс. | 510mW |
| Статус продукта | Активный |
| Корпус по обозначению производителя | 6-HUSON (2x2) |
| Transistor Тип | 2 PNP (Dual) |
| Vce Saturation (макс.) @ Ib, Ic | 340mV @ 100mA, 1A |
| Напряжение - Коллектор Эмиттер Breakdown (макс.) | 60V |
| Области применения | Уточняются по документации |
Перед коммерческим предложением источник и ревизию документации необходимо проверить повторно.
Укажите допустимые отклонения по корпусу, распиновке, электрическим параметрам, температуре и программной совместимости. Связанные ниже модели не считаются автоматическими аналогами.