Фотография изделия
Электронный компонент PBSS5130QAZ производителя NXP. Категория: Одиночные биполярные транзисторы. Корпус или исполнение: 3-XDFN Exposed Pad.
Точное количество уточняйте по запросу
| Производитель | NXP |
|---|---|
| MPN | PBSS5130QAZ |
| Категория | Одиночные биполярные транзисторы |
| Корпус / исполнение | 3-XDFN Exposed Pad |
| Ток - Коллектор (Ic) (макс.) | 1 A |
| Ток - Коллектор Cutoff (макс.) | 100nA |
| DC Ток Коэффициент усиления (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 2V |
| Частота - Transition | 170MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Корпус | 3-XDFN Exposed Pad |
| Мощность - макс. | 325 mW |
| Статус продукта | Снят с производства |
| Корпус по обозначению производителя | DFN1010D-3 |
| Transistor Тип | PNP |
| Vce Saturation (макс.) @ Ib, Ic | 240mV @ 100mA, 1A |
| Напряжение - Коллектор Эмиттер Breakdown (макс.) | 30 V |
| Области применения | Уточняются по документации |
Перед коммерческим предложением источник и ревизию документации необходимо проверить повторно.
Укажите допустимые отклонения по корпусу, распиновке, электрическим параметрам, температуре и программной совместимости. Связанные ниже модели не считаются автоматическими аналогами.