Фотография изделия
Фото изделия уточняетсяНе публикуем схематичное изображение вместо фотографии конкретного компонента.
Microchip Technology
MSCSM120DDUM16CTBL3NG
Электронный компонент MSCSM120DDUM16CTBL3NG производителя Microchip Technology. Категория: Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов. Корпус или исполнение: Module.
Количество на складе—
Точное количество уточняйте по запросу
Коммерческий статусНаличие уточняется
ЦенаЦена по запросу
Функциональная категорияМассивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Корпус / исполнениеModule
Статус данных
Что известно до запроса
- Идентификация
- MPN, производитель и ссылка на первоисточник зафиксированы.
- Техническая основа
- Параметры перенесены из каталога-источника и требуют сверки с актуальной ревизией документации.
- Коммерческие условия
- Наличие, цена, срок, партия и происхождение уточняются отдельно.
| Производитель | Microchip Technology |
|---|---|
| MPN | MSCSM120DDUM16CTBL3NG |
| Категория | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Корпус / исполнение | Module |
| Конфигурация | 4 N-Channel, Common Source |
| Ток - Continuous Сток (Id) @ 25°C | 150A |
| Сток до Источник Напряжение (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Затвор Charge (Qg) (макс.) @ Vgs | 464nC @ 20V |
| Вход Ёмкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 6040pF @ 1000V |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Корпус | Module |
| Мощность - макс. | 560W |
| Статус продукта | Активный |
| Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 80A, 20V |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 2mA |
| Области применения | Уточняются по документации |
Документы и источникОснование карточки
Перед коммерческим предложением источник и ревизию документации необходимо проверить повторно.
Если рассматривается замена
Укажите допустимые отклонения по корпусу, распиновке, электрическим параметрам, температуре и программной совместимости. Связанные ниже модели не считаются автоматическими аналогами.