Фотография изделия
Фото изделия уточняетсяНе публикуем схематичное изображение вместо фотографии конкретного компонента.
Microchip Technology
APTM100H45FT3G
Электронный компонент APTM100H45FT3G производителя Microchip Technology. Категория: Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов. Корпус или исполнение: SP3.
Количество на складе—
Точное количество уточняйте по запросу
Коммерческий статусНаличие уточняется
ЦенаЦена по запросу
Функциональная категорияМассивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Корпус / исполнениеSP3
Статус данных
Что известно до запроса
- Идентификация
- MPN, производитель и ссылка на первоисточник зафиксированы.
- Техническая основа
- Параметры перенесены из каталога-источника и требуют сверки с актуальной ревизией документации.
- Коммерческие условия
- Наличие, цена, срок, партия и происхождение уточняются отдельно.
| Производитель | Microchip Technology |
|---|---|
| MPN | APTM100H45FT3G |
| Категория | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Корпус / исполнение | SP3 |
| Конфигурация | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| Ток - Continuous Сток (Id) @ 25°C | 18A |
| Сток до Источник Напряжение (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Затвор Charge (Qg) (макс.) @ Vgs | 154nC @ 10V |
| Вход Ёмкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4350pF @ 25V |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Корпус | SP3 |
| Мощность - макс. | 357W |
| Статус продукта | Активный |
| Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 9A, 10V |
| Корпус по обозначению производителя | SP3 |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Области применения | Уточняются по документации |
Документы и источникОснование карточки
Перед коммерческим предложением источник и ревизию документации необходимо проверить повторно.
Если рассматривается замена
Укажите допустимые отклонения по корпусу, распиновке, электрическим параметрам, температуре и программной совместимости. Связанные ниже модели не считаются автоматическими аналогами.