HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED · инженерный поиск компонентов
info@lianyixinic.com WhatsApp +8613618154884
Главная/Каталог/РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы/A5G35H110N-3400

Фотография изделия

Фото изделия уточняетсяНе публикуем схематичное изображение вместо фотографии конкретного компонента.
NXP

A5G35H110N-3400

Электронный компонент A5G35H110N-3400 производителя NXP. Категория: РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы. Корпус или исполнение: 6-LDFN Exposed Pad.

Количество на складе—

Точное количество уточняйте по запросу

Коммерческий статусНаличие уточняется
ЦенаЦена по запросу
Функциональная категорияРЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Корпус / исполнение6-LDFN Exposed Pad
Статус данных

Что известно до запроса

Идентификация
MPN, производитель и ссылка на первоисточник зафиксированы.
Техническая основа
Параметры перенесены из каталога-источника и требуют сверки с актуальной ревизией документации.
Коммерческие условия
Наличие, цена, срок, партия и происхождение уточняются отдельно.
Технические параметры
ПроизводительNXP
MPNA5G35H110N-3400
КатегорияРЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Корпус / исполнение6-LDFN Exposed Pad
Ток - Test70 mA
Частота3.3GHz ~ 3.7GHz
Коэффициент усиления15.3dB
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Корпус6-LDFN Exposed Pad
Мощность - Выход15.1W
Статус продуктаАктивный
Корпус по обозначению производителя6-PDFN (7x6.5)
Напряжение - Номинальное125 V
Напряжение - Test48 V
Области примененияУточняются по документации
Первоисточник ↗Открыть RFQ
Документы и источникОснование карточки
Тип
PDF производителя
Охват
Идентификация MPN и все заполненные параметры каталога-источника
Не подтверждает
Наличие, цену, срок и происхождение партии

Перед коммерческим предложением источник и ревизию документации необходимо проверить повторно.

Если рассматривается замена

Укажите допустимые отклонения по корпусу, распиновке, электрическим параметрам, температуре и программной совместимости. Связанные ниже модели не считаются автоматическими аналогами.