HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED · инженерный поиск компонентов
info@lianyixinic.com WhatsApp +8613618154884
Главная/Каталог/РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы/A3G26H502W17SR3

Фотография изделия

Фото изделия уточняетсяНе публикуем схематичное изображение вместо фотографии конкретного компонента.
NXP

A3G26H502W17SR3

Электронный компонент A3G26H502W17SR3 производителя NXP. Категория: РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы. Корпус или исполнение: NI-780-4S2S.

Количество на складе—

Точное количество уточняйте по запросу

Коммерческий статусНаличие уточняется
ЦенаЦена по запросу
Функциональная категорияРЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Корпус / исполнениеNI-780-4S2S
Статус данных

Что известно до запроса

Идентификация
MPN, производитель и ссылка на первоисточник зафиксированы.
Техническая основа
Параметры перенесены из каталога-источника и требуют сверки с актуальной ревизией документации.
Коммерческие условия
Наличие, цена, срок, партия и происхождение уточняются отдельно.
Технические параметры
ПроизводительNXP
MPNA3G26H502W17SR3
КатегорияРЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Корпус / исполнениеNI-780-4S2S
Конфигурация2 N-Channel
Ток - Test370 mA
Частота2.496GHz ~ 2.69GHz
Коэффициент усиления13.1dB
Тип монтажаChassis Mount
КорпусNI-780-4S2S
Мощность - Выход80W
Статус продуктаПоследняя закупка
Корпус по обозначению производителяNI-780-4S2S
ТехнологияGaN
Напряжение - Номинальное125 V
Напряжение - Test48 V
Области примененияУточняются по документации
Первоисточник ↗Открыть RFQ
Документы и источникОснование карточки
Тип
Страница производителя
Охват
Идентификация MPN и все заполненные параметры каталога-источника
Не подтверждает
Наличие, цену, срок и происхождение партии

Перед коммерческим предложением источник и ревизию документации необходимо проверить повторно.

Если рассматривается замена

Укажите допустимые отклонения по корпусу, распиновке, электрическим параметрам, температуре и программной совместимости. Связанные ниже модели не считаются автоматическими аналогами.